TetsuyaAsami
浅見哲也
メッセージ
・専任教授（実務家教員）
・(株)Imaging Device Technologies 代表取締役社長
・(株)SensAI 会長
Question
担当している領域・科目について教えてください。
大学院では「技術・社会の展望と企業倫理」「技術戦略と技術マネジメント」「経営計画とイノベーション」を担当します。いずれも自身の研究領域であるイノベーションサイエンスと経営実務経験から、実践を重視した教育に努めます。
春学期の「技術・社会の展望と企業倫理」では、長期視点を持ち企業や社会が直面する課題からテクノロジーはどのように貢献できるのか？この問いを通じて、経営目標を設定する方法について学びます。
秋学期の「技術戦略と技術マネジメント」では、自ら設定した目標を実現するために、長期的視野で自社の強みや外部資源を活かした複合思想で、実践できる戦略を策定する方法について学んで頂きます。
実務家時代にどのような業務に携わってきましたか？
国内総合電機メーカーで半導体エンジニアとして活動しました。そして研究開発会社を起業しました。
電機メーカーで最初の10年間は半導体物性とデバイス研究開発。次10年間はシステムLSI開発。次10年間はCMOSイメージセンサ開発マネジメントと事業マネジメントに携わってきました。
そして、自事業が競合他社へ譲渡された際に、半導体CMOSイメージセンサの研究開発会社を起業しました。人生ではじめての転職が起業でした。苦労も多かったのですが貴重な経験ができました。その頃にMOTに出会いました。
授業を行う際に大切にしている点は何でしょうか？
第一に「共感」です。機能集団の戦闘力を最大化するためのエネルギーは共感にあると考えています。良い講義を作るための要素でもあると考えています。そして、ポピュリズムではなく尊厳をもって本質的に切り込み、切磋琢磨。この様な機会は「貴重な仲間を得る機会」にも繋がると考えています。
第二に「本質の追求」です。理論や法則、先行研究論文、時には古典を引用して講義を進めます。これらは本質的で示唆に富み、考える機会を与えてくれます。溢れる情報や他者意見を肯定的/否定的に考え、自らの糧にするための「思考の水路」を与えてくれます。これから変化するであろう社会課題に取り組む際も、普遍的で有用な知恵であり続ける様に思います。
第三に「経営(学)の特殊性」です。与えられた問題を正しい論理で導いた解答が正解。利益の源泉を差異化とするならば、同一INPUT(事業競争環境等)から、過去に学んだ正しい論理で考えると、同一のOUTPUT(事業戦略等)が得られます。この他社(者)と同じ横並びの解答に差異化の源泉は在りません。私見ですが「正しく間違っている」と言えます。ここに経営(学)実践の面白さがあるように思います。
Information
スチューデントアワー
土曜日
専門分野
・技術経営
・イノベーションサイエンス
・半導体工学
現職と主たる経歴
《現職》
・日本工業大学大学院 技術経営研究科 専任教授
・(株)SensAI 会長
《学位》
・修士
《経歴》
・大学卒業後、(株)東芝入社、システムLSI、CMOSイメージセンサ等のプロジェクトに従事
・(株)SensAI 会長
・日本工業大学専門職大学院修了
その他
【学会発表】（筆頭発表のみ）
1986.3 『面方位がMOS構造へ与える影響』日本応用物理学会
1986.9 『等方性ﾄﾞﾗｲｴｯﾁﾝｸﾞによるﾄﾚﾝﾁｷｬﾊﾟｼﾀの検討』日本応用物理学会
1987.3 『Poly-Si 埋め込みによる新しいｺﾝﾀｸﾄ形成技術』日本応用物理学会
1988.3 『AIｴﾚｸﾄﾛﾏｲｸﾞﾚｰｼｮﾝの新しい評価方法』日本応用物理学会
1988.9 『金属ｲｵﾝ注入したAIのｴﾚｸﾄﾛﾏｲｸﾞﾚｰｼｮﾝ』日本応用物理学会
1989.3 『MOSﾃﾞﾊﾞｲｽ高速化検討(液体窒素198K Mobility)』日本応用物理学会
1989.9 『Polycide-Si ｺﾝﾀｸﾄにおける不純物の挙動と電気特性の関係』応用物理学会
2004.5 “Advanced Yield enhancenent nethodology for SoCs” IEEE ASMC
2020.3 『半導体 CMOS ｲﾒｰｼﾞｾﾝｻ事業に関する研究：垂直統合型企業が技術優位性を長期間維持する要因に関する考察』日本MOT学会年次研究発表会
2020.11 “A Study of the CMOS Image Sensor Semiconductor Business: Factors Maintaining the Long-Term Manufacturing Technology Superiority of IDM Companies” IEEE International Semiconductor Manufacturing Conference
【論文】（査読付き国際学会、共著のみ）
1986.10 “1-Mbit Virtually Static RAM” IEEE J. of Solid-State Circuits (Nogami)
1986.2 “1Mb Virtually SRAM” IEEE, ISSCC (Sakurai)
1989.5 “0.5um Gate 1MSRAM with High Performance 3.3V” VLSI (Kinugawa)
1988.8 “A 30nA Data-Retention Psedostatic Mode” IEEE ISSC (Sawada)
1989.8 “High Reliability High Speed Design 1Mb SRAM” VLSI Symp. (Hayakawa)
2010.6 “Development of Compact Model on Layout Dependence Consideration” IEDM (Aikawa)
2011.6 “An Efficient manufacturing technique based on process compact model reduce characteristic variation beyond process limit for 40nm node mass production” VLSI Symp. (Kakehi)
